foto1
foto1
foto1
foto1
foto1

(0294)3855246 - 232
library@tvu.edu.vn
Liên hệ:



Tác giả: Ngô Thanh Hà; TS. Nguyễn Văn Trạng (người hướng dẫn)

Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP. HCM. Năm: 2018.

Mô tả: 92Tr, kích thước: 30cm. Số định danh: 629.224 / H100. Vị trí: Phòng đọc.

Tóm tắt:

Trong giai đoạn hiện nay do sự gia tăng về mật độ của các phương tiện giao thông dẫn đến khan hiếm về nguồn nhiên liệu hóa thạch, ô nhiễm môi trường do khí thải từ động cơ và tiếng ồn của các phương tiện giao thông đang là vấn đề cần đƣợc quan tâm. Mặc dù phương tiện cá nhân đăt biệt là xe gắn máy là một trong số các phương tiện gây nhiều ô nhiễm không khí và tiếng ồn, nhưng nó vẫn được lựa chọn sử dụng rất phổ biến vì mang lại lợi ích kinh tế thiết thực và mức độ linh hoạt của chúng. Để cải tiến những hạn chế của xe gắn máy truyền thống, góp phần tạo ra một phương tiện tham gia giao thông “sạch”, mà các tính năng cơ động của nó vẫn được đảm bảo, tôi đã có định hướng thực hiện đề tài: “Nghiên cứu tích hợp truyền động lai cho xe gắn máy với motor điện đặt tại bánh sau”. Đối với đề tài này sản phẩm được lựa chọn nghiên cứu là một xe gắn máy Wave 110cc, loại xe số rất thông dụng hiện nay. Hệ thống truyền động của xe sẽ được tích hợp giữa 2 nguồn động lực là động cơ xăng và động cơ điện DC đặt tại bánh sau. Kết quả thu được là xe có thể vận hành như một chiếc xe gắn máy hiện hành và có thể vận hành như một chiếc xe điện. Khi vận hành với đoạn đường dài khu vực ngoại ô, xe sẽ hoạt động chủ yếu là động cơ đốt trong. Trong lúc đó, xe sẽ tận dụng nguồn năng lượng điện máy phát của động cơ đốt trong và năng lượng tái sinh của động cơ điện để nạp cho Pin Lithium-ion. Khi lưu thông vào khu vực nội ô, động cơ sẽ được kích hoạt, xe chạy bằng nguồn điện tích trữ từ Pin Lithium-ion. Kết quả thực nghiệm cho thấy rằng, bộ Pin Lithium-ion luôn luôn được nạp điện từ máy phát của động cơ đốt trong và năng lượng tái sinh khi hoạt động ở chế độ động cơ, xe chạy bằng động cơ điện có thể đạt được tốc độ tối đa khoảng 40 km/h. Trong quá trình hoạt động bộ vi điều khiển sẽ điều chỉnh điện áp và cường độ dòng điện cung cấp hệ thống điều khiển, động cơ điện nhằm bảo vệ an toàn cho hệ thống.

 

 

Tác giả: Phan Văn Tuân, TS. Trần Thanh Thưởng (người hướng dẫn)

Đại học SPKT TP. HCM. Năm: 2015.

Mô tả: Tr, kích thước: 30cm. Số định danh: 629.2293 T502. Vị trí: Phòng đọc.

Mục tiêu nghiên cứu:

xây dựng cơ sở nghiên cứu lý thuyết và thực tiển tác động vào hệ thống nạp accu trên xe máy điện để xe chạy được quãng đường dài hơn sau một lần sạc nhằm mục đích sau:

+ Tiết kiệm nhiên liệu.

+ Giảm ô nhiễm môi trường.

+ Góp phần phát triển ngành công nghiệp sản xuất xe máy điện trong nước.

Register to read more ...

Tác giả: Nguyễn Vũ Lực. TS. Nguyễn Tường Long (người hướng dẫn).

Đại học Bách Khoa TP. HCM. Năm: 2015.

Mô tả: 96Tr. Kích thước: 30cm. Số định danh: 671 L552

Mục tiêu nghiên cứu: Tìm hiểu đặc trưng cơ học của kim loại trong bài toán biến dạng dẻo, bao gồm:

* Sự thay đổi cấu trúc ống kim loại mỏng khi tiến hành uốn.

* Ảnh hưởng của ma sát đến quá trình uốn.

* Ảnh hưởng của góc uốn, bán kính uốn, kích thước hình học và tính chất vật liệu uốn.

* Phương pháp giải bài toán biến dạng dẻo ống kim lọai thành mỏng bằng ANSYS/LSDYNA.

Register to read more ...

Tác giả: Thi Trần Anh Tuấn. Professor Dong-Hau Kuo (người hướng dẫn)

National Taiwan University of Science and Technology. Năm: 2015.

Mô tả: 166Tr. Kích thước: 30cm.

Abstract:

High thermal conductivity, high electron mobility, high electron saturation velocity, and large band gap of nitride based materials have attracted many research interests in recent years. The GaN and InGaN materials have brought promising future for the application of electronic devices such as metal–oxide–semiconductor field effect transistors (MOSFETs), hetero junction field-effect transistors (HJ-FETs), Schottky diodes, p–n junction diodes, laser diodes, light emitting diodes (LEDs) etc. However, high-quality GaN, InGaN films and III-V nitride semiconductors for optoelectronic and electronic devices often have been grown on sapphire and several other semiconductor substrates by using metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) and molecular beam epitaxy (MBE) above 800oC. The developments of III-V nitride materials and their devices made by using low-cost methods at low processing temperatures are very important in fabricating electronic devices.

In this study, all diodes based on GaN and InGaN materials will be made at the low temperature with the cost-effective and reactive radio-frequency (RF) sputtering technique. The GaN and its alloy films were characterized by FE-SEM, EDS, XRD, TEM, AFM and Hall measurement at the room temperature. The electrical characterizations of diodes were determined by I–V and C–V measurements. The characteristics of our diodes can be successfully explained with the thermionic-emission (TE) model. Cheungs' and Norde methods were used to determine all electrical parameters of Schottky and p–n junction diodes.

For the diode devices based on n–GaN and n–InGaN, the 500oC-annealed n–GaN MS (metal–semiconductor) and MOS (metal–oxide–semiconductor) Schottky diodes showed the smallest leakage currents of 1.02x10-8 and 1.86x10-9 A, respectively, at -1V. The highest SBHs for n–GaN MS and MOS Schottky diodes were calculated to be 0.79 and 0.81 eV , respectively, by the Cheungs’ method, and 0.91 and 0.94 eV by the Norde method. The n–GaN MOS diode showed a high series resistance of 84.4 kΩ, as compared to 27.9 kΩ for the n–GaN MS diode. In addition, n–InGaN MS and MOS Schottky diodes were studied before and after annealing at 400oC. The 400oC-annealed samples displayed the leakage current of 3.86x10-6 (MS) and 1.42x10-7 A (MOS). The SBH of n–InGaN MOS diode increased from 0.69 eV (I–V), 0.77 eV (Norde) to 0.82 eV (C–V) after annealing at 400oC. By C–V measurement for n–InGaN MOS diode, the carrier concentration was found to be 4.48x1017 cm-3 for the as-deposited and 2.41x1017 cm-3 for the annealed samples. The n–InGaN MOS diode had a small series resistance of 911 Ω, as compared to 84.4 kΩ for the n–GaN MOS diode.

...........................................

Register to read more ...

Tác giả: Dương Ngọc Bích. Prof. Jau – Huai Lu (người hướng dẫn khoa học).

National Chung Hsing University. Năm: 2015.

Mô tả: 90Tr. Kích thước: 30cm. Số định danh:

Abstract

One of the excellent methods employed not only to recover waste heat from combustion furnaces is using regenerative heat exchanger that can help facilities significantly reduce fossil fuel consumption, as well as reduce associated operating costs, but also to control the Volatile Organic Compounds (VOCs) that consists of different kinds of chemical being adverse environment and health effects. The purpose of this study is to investigate the effects of operating and design parameters, two crucial variables in thermal performance of regenerative heat exchanger with two alternative working beds, on the efficiency of thermal exchange and the pressure drop through heating and cooling process. It is clearly that an extensive knowledge and thorough understanding of the heat transfer phenomena in the regenerator is essential. This study used numerical and analytical methods to simulate heat transfer process of regenerator brought out expected results for the temperatures of gases and solid material as function of time and space presented for the general asymmetric and unbalanced case.

In particular, the thermal recovery efficiency is affected by the operating parameters as cycle duration (2% difference in each concerned semi-cycle duration), specific mass flow rate G (approximately 7% difference of the thermal effectiveness between G =1 and G =0.25 kg.m-2 .s-1 ). On the other hand, it is investigated that design parameters also influenced on regenerator performance such as ball size (thermal recovery efficiency is higher 97% for balls with diameter of 6mm and lower 95% for that of 15mm), bed height (about 2% disparity of thermal effectiveness of 0.8m, 1m, 1.5m, and 2m height of regenerator), bed void-age (about 4% disparity of thermal efficiency between 44% and 64% in porosity). These listed parameters also impact considerably to the pressure drop, namely the increase the ball size reduces the pressure drop whereas the decrease the specific mass flow rate enlarges the pressure drop of whole furnace.

Moreover, comparison the capacity of thermal recovery of a uniform particle and that of a non-uniform particle as well as the similarity of thermal storage performance between the modified radius of non-uniform particle and the uniform are also illustrated in this paper.

Last but not least, the comparison of real regenerator as a waste heat recovery device of real model (regenerative furnaces in a glass factory) to the simulation model for fixed bed will bring us the deep and clear overview to thermal distribution of regenerator about the thermal recovery efficiency.

Register to read more ...


Thư viện Trường Đại học Trà Vinh.

Số 126 - Nguyễn Thiện Thành, Khóm 4, phường 5, Thành phố Trà Vinh - Tỉnh Trà Vinh.

Điện thoại: (+84).294.3855246 số nội bộ: 232) * Fax: (+84).294.3855217. Email: library@tvu.edu.vn

Giấy phép xuất bản số: 35/GP-TTDT do Cục QL Phát thanh, Truyền hình và Thông tin điện tử (Bộ TTTT) cấp ngày 05/04/2013

Mã nguồn: Joomla - Diablodesign.